全球存儲芯片市場正經(jīng)歷新一輪價格調(diào)整，SK海力士憑借第六代高帶寬存儲器（HBM4）的供應(yīng)協(xié)議，進(jìn)一步鞏固了其在人工智能（AI）芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這家韓國存儲巨頭與英偉達(dá)達(dá)成協(xié)議，明年將為其提供HBM4產(chǎn)品，定價較上一代HBM3E上漲超過50%，單顆價格定在約560美元（約合人民幣3989元）。這一價格調(diào)整不僅反映了技術(shù)升級帶來的成本壓力，也凸顯了HBM4在AI計算中的核心價值。

HBM4的技術(shù)突破是其價格上調(diào)的關(guān)鍵支撐。相較于HBM3E的1024個數(shù)據(jù)傳輸通道（I/O），HBM4將這一數(shù)字翻倍至2048個，同時首次在基底芯片中集成了計算效率優(yōu)化和能效管理等邏輯制程功能。這種技術(shù)整合促使SK海力士改變生產(chǎn)策略——自HBM4起，基底芯片的生產(chǎn)將外包給臺積電，而此前該環(huán)節(jié)由公司內(nèi)部完成。這種分工調(diào)整雖然增加了成本，但也為產(chǎn)品性能提升提供了保障。

談判過程并非一帆風(fēng)順。英偉達(dá)曾對SK海力士提出的550美元單價提出異議，考慮到三星電子和美光科技也將大規(guī)模進(jìn)入HBM4市場，英偉達(dá)希望抑制價格漲幅。但最終雙方以560美元的價格達(dá)成妥協(xié)，這一結(jié)果使SK海力士在HBM4市場繼續(xù)保持主導(dǎo)地位。公司高管雖未確認(rèn)具體談判細(xì)節(jié)，但承認(rèn)制程進(jìn)步和原材料成本上升是漲價的合理依據(jù)。

財務(wù)影響已開始顯現(xiàn)。SK海力士近期向機(jī)構(gòu)投資者透露，明年HBM業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤率可能維持在60%左右，銷售額預(yù)計達(dá)到40至42萬億韓元（約合人民幣2084億元）。若利潤率與今年持平，僅HBM業(yè)務(wù)就將貢獻(xiàn)約25萬億韓元（約合人民幣1240億元）的營業(yè)利潤。隨著公司從HBM3E全面轉(zhuǎn)向HBM4，整體HBM業(yè)績有望較今年（銷售額30萬億韓元，營業(yè)利潤17萬億韓元）提升40%至50%。

更廣泛的行業(yè)趨勢也在助力SK海力士。全球AI基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮推動通用DRAM價格持續(xù)走高，尤其是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR產(chǎn)品。據(jù)DRAMeXchange數(shù)據(jù)，9月份DDR4固定交易價格六年來首次突破7美元，主要原因是存儲芯片廠商將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)線，導(dǎo)致通用DRAM供應(yīng)緊張。SK海力士從中受益，其通用DRAM業(yè)務(wù)營業(yè)利潤率可能接近50%至60%。

市場對SK海力士的樂觀預(yù)期持續(xù)升溫。有分析指出，隨著推理AI市場快速擴(kuò)張，存儲芯片需求激增，而供應(yīng)端短期內(nèi)難以滿足。SK海力士甚至未投產(chǎn)就已售罄明年產(chǎn)能，這種供需格局將支撐其高利潤率持續(xù)。若HBM和通用DRAM業(yè)務(wù)雙線發(fā)力，公司明年整體營業(yè)利潤有望突破70萬億韓元，創(chuàng)下歷史新高。