2025年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了歷史性的飛躍時刻。國內(nèi)領(lǐng)先科技企業(yè)璞璘科技，成功研發(fā)并順利驗(yàn)收了首臺PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備，這一成果標(biāo)志著中國在高端半導(dǎo)體級納米壓印光刻系統(tǒng)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了自主可控。

8月1日，這臺具有里程碑意義的設(shè)備正式交付給了國內(nèi)特色工藝客戶，投入到實(shí)際生產(chǎn)中。這一事件不僅填補(bǔ)了中國在該領(lǐng)域的空白，更打破了西方國家的技術(shù)封鎖，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。

PL-SR系列設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)令人矚目。其支持的線寬精度小于10納米，平均殘余層厚度控制在10納米以內(nèi)，波動范圍小于2納米，壓印結(jié)構(gòu)深寬比更是突破了7:1。這些核心參數(shù)不僅滿足了半導(dǎo)體級制造的高標(biāo)準(zhǔn)，還超越了日本佳能旗艦產(chǎn)品的制程能力，顯示出中國半導(dǎo)體裝備技術(shù)的巨大進(jìn)步。

從戰(zhàn)略層面來看，這一突破具有深遠(yuǎn)意義。長期以來，西方國家通過技術(shù)封鎖試圖阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。而璞璘科技的成功研發(fā)，打破了這一僵局，為中國芯片制造企業(yè)提供了自主可控的高端納米壓印解決方案。這不僅為后續(xù)工藝研發(fā)和產(chǎn)能提升奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，更為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展開辟了新道路。

在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程方面，PL-SR系列設(shè)備的順利交付意味著該技術(shù)已具備產(chǎn)業(yè)化落地條件。此次交付的是直接面向量產(chǎn)客戶的商用設(shè)備，而非實(shí)驗(yàn)室樣機(jī)。設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)20毫米×20毫米壓印模板的均勻拼接，并最終可擴(kuò)展至12英寸晶圓級超大模板生產(chǎn)，為未來規(guī)模化量產(chǎn)提供了有力保障。

PL-SR系列納米壓印光刻機(jī)的成功研發(fā)，得益于璞璘科技對多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)性攻克。其中，噴墨涂膠工藝的創(chuàng)新是核心突破點(diǎn)之一。通過獨(dú)創(chuàng)的噴墨算法系統(tǒng)，設(shè)備實(shí)現(xiàn)了對局部膠量的精準(zhǔn)動態(tài)調(diào)控，能夠根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)的變化實(shí)時調(diào)整壓印膠的噴涂量，從而滿足了納米壓印技術(shù)對光刻膠均勻涂布的高要求。

模板面型控制技術(shù)和無殘余層壓印工藝的實(shí)現(xiàn)也是關(guān)鍵突破。璞璘科技自主開發(fā)的模板面型控制系統(tǒng)，通過高精度傳感器網(wǎng)絡(luò)和實(shí)時反饋機(jī)制，能夠在整個壓印過程中動態(tài)調(diào)整模板姿態(tài)，確保納米級的貼合精度。同時，通過對設(shè)備、材料和工藝系統(tǒng)的協(xié)同優(yōu)化，開發(fā)出了無殘余層壓印技術(shù)，消除了傳統(tǒng)工藝中因殘余層厚度不均導(dǎo)致的刻蝕偏差。

拼接對準(zhǔn)系統(tǒng)則是PL-SR設(shè)備的又一亮點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)晶圓級量產(chǎn)，設(shè)備采用了高精度拼版技術(shù)，能夠?qū)⒍鄠€小面積模板的圖案無縫拼接至12英寸晶圓上。這一技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，為規(guī)模化量產(chǎn)提供了有力支持。

在與日本佳能等傳統(tǒng)主導(dǎo)企業(yè)的對比中，璞璘PL-SR設(shè)備展現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢。佳能FPA-1200NZ2C設(shè)備雖然曾以其14納米的線寬能力引起業(yè)界震動，但璞璘PL-SR設(shè)備已將這一指標(biāo)提升至10納米以下，在制程精度上實(shí)現(xiàn)了超越。同時，在殘余層控制方面，璞璘PL-SR設(shè)備也表現(xiàn)出了更優(yōu)異的性能。

璞璘PL-SR納米壓印光刻機(jī)的交付，不僅是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一項(xiàng)重大技術(shù)突破，更是中國半導(dǎo)體創(chuàng)新歷程中的一個重要里程碑。這一成果將對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。然而，產(chǎn)業(yè)界仍需保持理性認(rèn)知，既要看到技術(shù)進(jìn)步帶來的機(jī)遇，也要清醒認(rèn)識存在的挑戰(zhàn)，持續(xù)投入、協(xié)同創(chuàng)新，才能將這一技術(shù)突破轉(zhuǎn)化為持久的產(chǎn)業(yè)競爭力。