在亞利桑那州鳳凰城的臺積電工廠內，英偉達創始人黃仁勛與臺積電運營副總裁共同在一枚晶圓上簽名，標志著全球首款美國本土制造的Blackwell架構AI芯片正式下線。這片承載著數十億晶體管的硅基材料，將成為驅動全球AI基礎設施的核心引擎。
這座總投資達1650億美元的超級工廠，正在改寫全球半導體產業格局。臺積電將最先進的2納米、3納米、4納米及A16芯片生產線引入美國，不僅滿足了英偉達對高性能計算芯片的迫切需求，更被業界視為"制造業回歸美國"的標志性事件。黃仁勛在現場強調："沒有臺積電的工藝支持，英偉達在指甲蓋大小的芯片上集成2080億個晶體管的壯舉根本無法實現。"
Blackwell架構的突破性設計引發行業震動。該芯片采用英偉達與臺積電聯合研發的4NP工藝，通過創新的NV-HBI接口將兩個子芯片以10TB/s的帶寬互聯，在物理分離的情況下實現邏輯統一。這種設計突破了單片硅片面積限制，使GPU性能得到指數級提升。在2025年GTC大會上，黃仁勛透露該架構已進入全面量產階段，首批產品將優先供應AI大模型訓練市場。
臺積電創始人曾提出"在美國建晶圓廠"的構想，如今這一愿景在鳳凰城變為現實。工廠內，經過分層、光刻、蝕刻和切割等上百道工序的晶圓，最終將蛻變為支持AI推理與訓練的超高性能芯片。這些產品不僅服務于英偉達的加速計算平臺，更將深刻影響電信、高性能計算等戰略領域。
英偉達的芯片藍圖顯示，Blackwell之后將推出升級版Blackwell Ultra，而更先進的"Vera Rubin"超芯片平臺已定于2026年下半年上市。該平臺由Rubin GPU與Vera CPU組成，專為下一代大模型訓練設計。按照規劃，2027年將推出Rubin Ultra架構，2028年則迎來被命名為Feynman的后繼架構，形成持續五年的技術迭代周期。
這場半導體產業的變革遠超技術范疇。隨著臺積電亞利桑那工廠的運轉，美國正重新構建芯片制造生態鏈。黃仁勛指出："我們正在創造的不僅是芯片，更是一個能持續創造就業、推動創新的產業基石。"當簽名晶圓被送入生產線時，全球半導體產業格局已悄然生變。
