全球存儲芯片行業(yè)迎來重大突破，SK海力士與英偉達(dá)就新一代高帶寬存儲器（HBM4）達(dá)成供應(yīng)協(xié)議。這款專為AI計(jì)算設(shè)計(jì)的核心組件，憑借數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量翻倍至2048個(gè)的技術(shù)優(yōu)勢，成功將產(chǎn)品單價(jià)提升至560美元，較前代HBM3E增長超50%。作為全球首款實(shí)現(xiàn)該技術(shù)指標(biāo)的存儲器，HBM4的量產(chǎn)標(biāo)志著AI硬件性能邁入全新階段。

技術(shù)革新方面，HBM4在基底芯片設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)重大突破。通過集成計(jì)算效率優(yōu)化和能效管理的"邏輯制程"功能，產(chǎn)品直接在GPU與存儲器的連接層實(shí)現(xiàn)算力提升，這種架構(gòu)創(chuàng)新使AI設(shè)備的整體運(yùn)行效率得到顯著優(yōu)化。行業(yè)分析師指出，這種將存儲與計(jì)算功能深度融合的設(shè)計(jì)，或?qū)⒅匦露x高性能計(jì)算硬件的標(biāo)準(zhǔn)。

生產(chǎn)模式調(diào)整成為保障產(chǎn)能的關(guān)鍵舉措。SK海力士將基底芯片制造環(huán)節(jié)外包給臺積電，自身則專注于核心技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能統(tǒng)籌。這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型在3月已見成效，全球首款12層堆疊HBM4樣品通過英偉達(dá)驗(yàn)證，6月啟動的小批量供貨獲得市場積極反饋。據(jù)內(nèi)部人士透露，該產(chǎn)品的良品率較預(yù)期提升15%，為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

市場價(jià)格體系呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性變化。除HBM系列外，GDDR和LP DDR等通用存儲產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，9月DDR4交易價(jià)創(chuàng)六年來新高。這種全線漲價(jià)態(tài)勢源于推理AI市場的爆發(fā)式增長，行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球AI訓(xùn)練與推理需求將推動存儲芯片需求增長300%，而當(dāng)前產(chǎn)能僅能滿足約60%的市場需求。

財(cái)務(wù)預(yù)測顯示強(qiáng)勁增長勢頭。SK海力士預(yù)計(jì)2025年HBM業(yè)務(wù)銷售額達(dá)40-42萬億韓元，營業(yè)利潤率維持在60%高位。僅該業(yè)務(wù)板塊就將貢獻(xiàn)25萬億韓元營業(yè)利潤，推動公司整體營業(yè)利潤突破70萬億韓元。值得關(guān)注的是，HBM4在下半年全面替代HBM3E后，業(yè)務(wù)規(guī)模預(yù)計(jì)較今年增長40%-50%，形成新的利潤增長極。

產(chǎn)能布局方面，SK海力士已提前鎖定2025年全部HBM產(chǎn)能。這種"未產(chǎn)先銷"的市場策略，反映出行業(yè)對高端存儲芯片的旺盛需求。技術(shù)專家分析，隨著3nm制程工藝的成熟，HBM5的研發(fā)已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)階段，未來存儲器與GPU的集成度將進(jìn)一步提升，推動AI計(jì)算效率持續(xù)突破物理極限。