近期存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)出現(xiàn)罕見(jiàn)行情，DRAM內(nèi)存顆粒報(bào)價(jià)罕見(jiàn)反超同容量?jī)?nèi)存條，引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。據(jù)行業(yè)研究機(jī)構(gòu)監(jiān)測(cè)，當(dāng)前現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR4與DDR5內(nèi)存價(jià)格持續(xù)攀升，但受制于極低的供貨量，實(shí)際成交量維持在低位水平。這種供需失衡的特殊局面，導(dǎo)致內(nèi)存顆粒與成品模組之間出現(xiàn)顯著價(jià)差，其中DDR4 1Gx8 3200MT/s規(guī)格顆粒本周價(jià)格漲幅達(dá)7.1%，單價(jià)從11.071美元升至11.857美元。

市場(chǎng)分析指出，本輪行情主要受供應(yīng)端收縮影響。上游原廠持續(xù)控制產(chǎn)能釋放節(jié)奏，疊加渠道商惜售心態(tài)蔓延，使得現(xiàn)貨流通量急劇減少。盡管價(jià)格持續(xù)走高，但多數(shù)買家持觀望態(tài)度，僅維持必要采購(gòu)，導(dǎo)致"有價(jià)無(wú)市"現(xiàn)象加劇。研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，隨著顆粒價(jià)格快速補(bǔ)漲，內(nèi)存條與顆粒的價(jià)差將在短期內(nèi)逐步收窄，但整體供應(yīng)緊張局面可能延續(xù)至明年初。

NAND閃存市場(chǎng)同樣呈現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì)。受合約市場(chǎng)強(qiáng)勁需求帶動(dòng)，現(xiàn)貨市場(chǎng)交易熱度持續(xù)升溫，512Gb TLC晶圓價(jià)格本周暴漲17.07%至6.455美元。中小型采購(gòu)方因難以直接從原廠獲取貨源，轉(zhuǎn)而加大現(xiàn)貨市場(chǎng)采購(gòu)力度，進(jìn)一步推高價(jià)格。值得注意的是，當(dāng)前持貨商普遍預(yù)期后市繼續(xù)向好，普遍采取延遲出貨策略，這種集體惜售行為加劇了市場(chǎng)供應(yīng)緊張。

對(duì)于后續(xù)走勢(shì)，行業(yè)觀察人士認(rèn)為，在原廠產(chǎn)能未明顯釋放前，NAND現(xiàn)貨市場(chǎng)緊俏格局難以改變，價(jià)格上行趨勢(shì)可能延續(xù)至2025年第一季度。不過(guò)需要警惕的是，若合約市場(chǎng)價(jià)格漲幅過(guò)快，或終端消費(fèi)需求出現(xiàn)延遲，現(xiàn)貨市場(chǎng)熱度可能在2026年初出現(xiàn)回調(diào)。當(dāng)前市場(chǎng)各方正密切關(guān)注原廠產(chǎn)能調(diào)整動(dòng)態(tài)及終端需求變化，以判斷本輪上漲周期的持續(xù)性。