據海外媒體最新披露，三星電子正計劃對旗下存儲芯片產能進行重大調整，以應對人工智能領域激增的市場需求。此次調整將涉及減少NAND閃存生產規模，同時擴大DRAM產能，并新建專用生產線提升高端產品供應能力。

市場研究機構數據顯示，得益于高帶寬存儲器出貨量增長及通用DRAM價格攀升，三星電子在第三季度DRAM銷售額實現反超，時隔兩個季度重奪行業榜首位置。這一成績為后續產能擴張提供了數據支撐，公司管理層決定將戰略重心轉向更具盈利潛力的DRAM領域。

具體調整方案顯示，三星電子將削減平澤園區1號工廠和華城園區NAND閃存產能，轉而提升DRAM產量。這兩個園區均采用混合生產線模式，目前同時生產兩種存儲芯片。此次調整預計將釋放約30%的NAND產能，相關設備將逐步改造為DRAM生產線。

更引人注目的是，三星電子計劃在平澤園區新建4號工廠，該設施將完全用于DRAM生產。新工廠將采用公司最新制程技術，重點生產面向人工智能服務器的高端產品。據內部人士透露，新生產線有望將單位面積存儲密度提升40%，同時降低25%的能耗。

行業分析師指出，全球人工智能基礎設施投資熱潮推動DRAM需求呈現指數級增長。與傳統存儲芯片相比，AI服務器對DRAM的容量和速度要求提升數倍，這為三星電子提供了難得的市場機遇。通過產能結構優化，三星電子有望在保持技術領先的同時，進一步鞏固其市場主導地位。