全球存儲(chǔ)芯片龍頭SK海力士與英偉達(dá)即將達(dá)成新一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的供應(yīng)協(xié)議,這款專為AI計(jì)算設(shè)計(jì)的核心組件預(yù)計(jì)將以每顆560美元的價(jià)格推向市場,較前代HBM3E漲幅超過50%。技術(shù)突破成為此次價(jià)格調(diào)整的核心支撐,HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量從HBM3E的1024個(gè)翻倍至2048個(gè),同時(shí)通過在基底芯片中集成計(jì)算優(yōu)化與能效管理功能,顯著提升了AI設(shè)備的運(yùn)算效率。
在生產(chǎn)策略上,SK海力士進(jìn)行了重大調(diào)整。自HBM4項(xiàng)目啟動(dòng)后,企業(yè)將基底芯片制造環(huán)節(jié)外包給臺(tái)積電,自身則集中資源攻克核心技術(shù)并優(yōu)化產(chǎn)能配置。這一變革在3月已現(xiàn)成效——全球首款12層堆疊HBM4樣品通過英偉達(dá)測試并獲得認(rèn)可,6月起正式進(jìn)入小批量供貨階段。據(jù)企業(yè)高管透露,價(jià)格上調(diào)既反映了制程工藝的進(jìn)步,也涵蓋了原材料成本上升的客觀因素。
行業(yè)分析師指出,HBM4的高盈利能力將推動(dòng)SK海力士明年HBM業(yè)務(wù)銷售額躍升至40-42萬億韓元(約合2084億元人民幣),營業(yè)利潤率預(yù)計(jì)達(dá)60%,僅該板塊即可貢獻(xiàn)25萬億韓元利潤。這種增長勢頭在通用存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域同樣顯現(xiàn),9月DDR4價(jià)格六年來首次突破7美元,GDDR與低功耗DDR產(chǎn)品的市場價(jià)格也呈現(xiàn)快速攀升態(tài)勢。
需求端的爆發(fā)式增長成為價(jià)格走高的關(guān)鍵推手。隨著推理型AI應(yīng)用場景的持續(xù)拓展,存儲(chǔ)芯片供應(yīng)已出現(xiàn)明顯缺口,SK海力士明年的相關(guān)產(chǎn)能早在規(guī)劃階段即被預(yù)訂一空。預(yù)計(jì)到明年下半年,HBM4將全面取代HBM3E成為市場主流,推動(dòng)企業(yè)HBM業(yè)務(wù)營收較今年增長40%-50%,整體營業(yè)利潤有望突破70萬億韓元大關(guān)。















