日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在納米壓印光刻（NIL）技術領域取得重大突破，成功開發出線寬僅10納米的NIL圖案化模板。這一成果將支持1.4納米級邏輯半導體及NAND閃存芯片的制造，為半導體產業向更小制程節點邁進提供了關鍵技術支撐。
作為NIL技術領域的先行者，DNP在該領域已深耕超過二十年。此次推出的新一代模板產品融合了光掩模制造與晶圓加工兩大環節的工藝經驗，采用自對準雙重圖案化（SADP）技術實現"套刻"工藝。通過在初始圖案上疊加薄膜沉積與蝕刻工序，該方案可使線條密度提升至原有水平的兩倍，從而在相同面積內集成更多電路元件。
據DNP披露，其NIL技術方案在能耗方面具有顯著優勢，僅為傳統光刻機曝光工藝的十分之一。這一特性在半導體制造追求低碳轉型的背景下顯得尤為重要。目前該公司正與多家半導體制造商開展深度技術對接，計劃于2027年啟動該技術的規模化量產。行業觀察人士指出，NIL技術的成熟或將改變高端半導體制造領域的競爭格局，特別是在3納米以下制程節點的工藝選擇上提供新路徑。
