5nm工藝之后，臺積電正在全力沖刺3nm，并且準備了多個版本，至少包括N3、N3E、N3B。
N3是常規(guī)標準版本，N3E原本應該是性能增強版(Enhanced)，2024年量產，現(xiàn)在卻變成了精簡版，規(guī)格上縮水，好消息是進度提前了。
據(jù)悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會比N3版本低大約8％，相比N5仍然會高60％。
相比之下，N3的晶體管密度比N5要高70%。
N3E工藝將在本月底完成設計，而投產時間將從2023年第三季度提前到2023年第二季度。
N3工藝也安排在2023年，但暫時不清楚具體哪個季度。
至于N3B版本，目前只知道它是在N3的基礎上，針對特定用戶的改進，但其他一無所知。
